PP濾芯微濾膜核徑跡蝕刻法
PP濾芯微濾膜核徑跡蝕刻法是采用物理和化學雙重作用制備微濾膜的一種新方法。通過用高能荷電粒子(強度一般為1MeV左右)輻照聚合物材料(一般為聚酯、聚碳酸酯薄膜材料),使粒子穿過之處聚合物鏈節斷裂,形成殘缺徑跡,此時再用刻蝕試劑與敏感的殘缺端基反應,使徑跡繼續擴大,最終形成孔徑大小均勻的柱狀孔,既而形成直通孔微濾膜。核徑跡蝕刻法制備微濾膜的過程。
影響微濾膜孔結構的主要因素有:薄膜的厚度、高能荷電粒子的照射時間、刻蝕液的濃度、刻蝕的時間、溫度等。薄膜的厚度一般為5-15um,所制得的微濾膜孔徑一般在0.02-10um之間,孔隙率一般為10%左右,由于膜較薄,因此流體透過速度與相轉化法相當。這種膜一般具有親水、耐熱、耐酸、透光性好等特點。
示例 聚碳酸酯微孔濾膜
膜材料 酸碳酸脂(PC)薄膜。
腐蝕劑 氫氧化納。
制膜工藝 重離子轟擊PC薄膜,聚合物薄膜分子鍵斷裂,形成小分子和自由原子團,這些受激產物在紫外線/過氧化劑的作用下,繼續損傷并形成酸性化合物;
酸性化合物在堿溶液作用下,生成可溶性鹽,經沖洗形成微孔。